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2024年中国科学院大学硕士研究生入学考试804半导体物理考试大纲

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本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士 研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程,它的主 要内容包括半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的 散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面─包括p-n 结、金属半导体接触、半导体表面及MIS 结构、异质结; 半导体的光、热、磁、压阻等 物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解,能够系统地掌握书中 基本定律的推导、证明和应用,并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。

一、考试形式

(一)闭卷,笔试,考试时间180 分钟,试卷总分 150 分

(二)试卷结构

第一部分:名词解释, 约50 分

第二部分:简答题,约20分

第三部分:计算题、证明题,约80 分

 

二、考试内容

(一)半导体的电子状态:

半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中的电子运动和 有效质量,本征半导体的导电机构,空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构,III-V 族

化合物半导体的能带结构,II-VI 族化合物半导体的能带结构

(二)半导体中杂质和缺陷能级:

硅、锗晶体中的杂质能级,III-V 族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级 (三)半导体中载流子的统计分布

状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的 载流子浓度,一般情况下的载流子统计分布,简并半导体

(四)半导体的导电性

载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻 率及其与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程,电导率的统计理论,强电场下的效 应,热载流子,多能谷散射,耿氏效应

(五)非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效 应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式

(六)p-n 结

p-n 结及其能带图, p-n 结电流电压特性, p-n 结电容, p-n 结击穿, p-n 结隧道效应 (七)金属和半导体的接触

金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触整流理论,少数载流子的注入和欧姆接 触


(八)半导体表面与MIS 结构

表面态,表面电场效应,MIS 结构的电容-电压特性,硅─二氧化硅系数的性质,表面电导及迁移率,表面电场对p-n 结特性的影响

(九)异质结

异质结及其能带图,异质结的电流输运机构,异质结在器件中的应用,半导体超晶格 (十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象

半导体的光学常数,半导体的光吸收,半导体的光电导,半导体的光生伏特效应,半 导体发光,半导体激光,热电效应的一般描述,半导体的温差电动势率,半导体的玻 尔帖效应,半导体的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用,霍耳效 应,磁阻效应,磁光效应,量子化霍耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应,声 波和载流子的相互作用

三、考试要求

(一)半导体的晶格结构和电子状态

1.了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。

2.理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。

3.掌握半导体中的电子运动规律,理解有效质量的意义。

4.理解本征半导体的导电机构,理解空穴的概念。

5.熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。

6.理解硅和锗的能带结构,掌握有效质量的计算方法。

7.了解III-V 族化合物半导体的能带结构。

8.了解 II-VI 族化合物半导体的能带结构。

(二)半导体中杂质和缺陷能级

1.理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。

2.简单计算浅能级杂质电离能。

3.了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。

4.了解 III-V 族化合物中杂质能级的概念。

5.理解点缺陷、位错的概念。

(三)半导体中载流子的统计分布

1.深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。

2.深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。

3.深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。

4.深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。

5.理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。

6. 深入理解并熟练掌握简并半导体的概念,简并半导体的载流子浓度的表示方法,简

并化条件。了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应。

(四)半导体的导电性

1.深入理解迁移率的概念。并熟练掌握载流子的漂移运动,包括公式。

2.深入理解载流子的散射的概念。

3.深入理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系,包括公式。

4.深入理解并熟练掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,包括公式。

5.深入理解电导率的统计理论。并熟练掌握玻尔兹曼方程。

6.了解强电场下的效应和热载流子的概念。

7.了解多能谷散射概念和耿氏效应。


(五)非平衡载流子

1.深入理解非平衡载流子的注入与复合的概念,包括表达式。

2.深入理解非平衡载流子的寿命的概念,包括表达式、能带示意图。

3.深入理解准费米能级的概念,包括表达式、能带示意图。

4.了解复合理论,理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念,包括表达

式、能带示意图。

5.了解陷阱效应,包括表达式、能带示意图。

6.深入理解并熟练掌握载流子的扩散运动,包括公式。

7.深入理解并熟练掌握载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式。并能灵活运用。

8.深入理解并熟练掌握连续性方程式。并能灵活运用。

(六)p-n 结

1.深入理解并熟练掌握p-n 结及其能带图,包括公式、能带示意图。

2.深入理解并熟练掌握p-n 结电流电压特性,包括公式、能带示意图。

3.深入理解p-n 结电容的概念,熟练掌握 p-n 结电容表达式、能带示意图。

4.深入理解雪崩击穿、隧道击穿热击穿的概念。

5.了解p-n 结隧道效应。

(七)金属和半导体的接触

1. 了解金属半导体接触及其能带图。理解功函数、接触电势差的概念,包括公式、能 带示意图。了解表面态对接触势垒的影响。

2. 了解金属半导体接触整流理论。深入理解并熟练掌握扩散理论、热电子发射理论、镜像力和隧道效应的影响、肖特基势垒二极管的概念。

3.了解少数载流子的注入和欧姆接触的概念。

(八)半导体表面与MIS 结构

1.深入理解表面态的概念。

2. 深入理解表面电场效应,空间电荷层及表面势的概念,包括能带示意图。深入理解 并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系,包括公式、示意图。并能灵活 运用。

3.深入理解并熟练掌握MIS 结构的电容-电压特性,包括公式、示意图。并能灵活运 用。

4. 深入理解并熟练掌握硅─二氧化硅系数的性质, 包括公式、示意图。并能灵活运用。

5.理解表面电导及迁移率的概念。

6.了解表面电场对p-n 结特性的影响。

(九)异质结

1.理解异质结及其能带图,并能画出示意图。

2.了解异质结的电流输运机构。

3.了解异质结在器件中的应用。

4.了解半导体超晶格的概念。

(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象

1. 了解半导体的光学常数,理解折射率、吸收系数、反射系数、透射系数的概念。了 解半导体的光吸收现象,理解本征吸收、直接跃迁、间接跃迁的概念。了解半导体的光 电导的概念。理解并掌握半导体的光生伏特效应,光电池的电流电压特性的表达式。了 解半导体发光现象, 理解辐射跃迁、发光效率、电致发光的概念。了解半导体激光的基 本原理和物理过程,理解自发辐射、受激辐射、分布反转的概念。

2.   了解热电效应的一般描述, 半导体的温差电动势率, 半导体的珀耳帖效应, 半导体


的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用。

3. 理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。理解磁阻效应。了解磁光效应,量子化霍 耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应。了解声波和载流子的相互作用。

 

【责任编辑:星轨】

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