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中科院材料科学与工程/半导体材料与器件考研复试面试题目汇总

2025国科大考研真题资料免费分享群:1群-2024年布丁考研复试

考研复试资料共享(材料科学与工程/半导体材料与器件  )

 

导师提问

提前准备了自己的简历,四六级证书,,注意多准备几份,确保每个导师一份,

 

复试面试相关问题:

 

1、隧道击穿

当 PN 结两边掺入高浓度的杂质时,其耗尽层宽度很小,即使外加反向电压不太高,在 PN 结内就可形成很强的电场,将共价键的价电子直接拉出来,产生电子-空穴对。使反向电流急剧增加、出现击穿现象。

 

2、集边效应

在大电流下,基极的串联电阻上产生一个大的压降,使得发射极由边缘到中心的

电场减小,从而电流密度从中心到边缘逐步增大,出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大,此现象称为 发射极电流集边效应,或基区电阻自偏压效应。

 

3、简述双极型晶体管中重掺杂发射区目的

 

4、为什么MOS场效应晶体管的饱和电流并不完全饱和?

 

5、金属-半导体功函数差是如何影响C-V曲线的?

 

6、晶体管具有放大能力需具备哪些条件?

 

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【责任编辑:星轨】

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